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《半导体信息》2018年06期
发布日期:2019-07-17  来源:半导体信息   浏览次数:997
核心提示:目录企业指南国防科技工业科学技术委员会在京成立1江苏省5G产业联盟成立1-2工信部:2020年将启动6G研发速度每秒1TB1国内外半导体
 目录
企业指南
国防科技工业科学技术委员会在京成立 1
江苏省5G产业联盟成立 1-2
工信部:2020年将启动6G研发 速度每秒1TB 1国内外半导体技术与器件
Ⅱ-Ⅵ和Sumitomo合作开发150mm GaN-on-SiC HEMT 2-3
英飞凌推出可量产的氮化镓解决方案 3-4
氧化镓沟槽肖特基势垒二极管具有超低泄漏 4-6
氮化镓垂直沟道结场效应晶体管 6-7
千瓦级GaN解决方案问世 7
硅基氮化镓微丝阵列用于紫外光电探测 8
浙江大学首次报道了无电流折叠的垂直GaN功率整流器 9-10
TI推出即用型600V GaN FET功率级该系列可支持10kW的应用条件 9
基本半导体重磅推出碳化硅MOSFET 10-11
三菱电机联合东京大学提出提高SiC功率半导体可靠性的新机制 11
日本ROHM首次实现1700V SiC功率模块商业化在极端环境下具有高可靠性 12
UnitedSiC发布全新UF3C FAST碳化硅FET系列产品 12-13
安森美半导体发布碳化硅(SiC)二极管用于要求严苛的汽车应用 13-14
德国ifw Optronics公司开发出具有扩展波长响应的SiC光电二极管 14
澳大利亚墨尔本皇家理工大学开发可取代半导体的新型金属-空气晶体管 具备抗辐射能力 15-16
ST推出MDmeshTM系列600V超结晶体管 16
Vishay推出断态电压GaAs红外LED 800V光耦稳定性更高 17
Vishay推出高集成度红外收发器模块 17-18
村田研发出32.768kHz MEMS谐振器 18-19
GAA MOSFET有望超越FinFET成为新的技术选择 19-20
功率半导体Ga2O3开始挑战GaN和SiC 20-22
格芯推出业界首个300mm硅锗晶圆工艺技术以满足数据中心和高速无线应用需求 23
佛罗里达大学,美国海军研究实验室和韩国大学评估氧化镓作为超宽带隙半导体的前景 23-24
芯片尺寸缩小五 倍英特尔新技术设想10年内取代CMOS 24-25
三星欲超车台积电 称2020年将量产3纳米技术 25-26市场动态
2018年全球半导体规模将达4780亿美元 26-28
SEMI:功率及化合物半导体将迎来高速成长 28-29
爱尔兰Fact MR公司预测:氮化镓射频器件市场将在2026年前将以18.4%复合年增长率增长 市场规模将超过15亿美元 30-31
国产射频企业成长空间巨大 31-32
聚力成半导体50亿元项目正式开工 32-33
富士康投资20亿元的半导体项目落户南京 32
半导体产业的“超级周期”面临拐点 33-34
Littelfuse完成对碳化硅二极管和MOSFET开发商Monolith的收购 34-35
功率半导体器件的未来趋势 35-38
iPhoneX带火3D传感技术 VCSEL产业链主要厂商梳理 38-40
 
 
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